 Компания IBM готовит к выпуску новое поколение центральных процессоров
Power7, представляющих собой высокоинтегрированные 45-нм микросхемы.
Одной из их главных особенностей станет применение «встраиваемой»
(embedded) DRAM-памяти, которая будет играть роль кэш-памяти для
процессора. Преимущества этого типа памяти заключаются в следующем. При
высокой производительности eDRAM, время доступа к данным составляет
менее 2 наносекунд, ячейка памяти оказывается в четыре раза компактнее
статической памяти, традиционно используемой в качестве кэш-памяти
процессора. Это означает, что на той же площади кристалла можно
разместить кэш-память большего объема, нежели при использовании только
SRAM-памяти. Впрочем, полностью от статической памяти отказываться
нельзя, ведь eDRAM требует постоянного обновления, в отличии от SRAM –
в случае процессоров IBM Power 7 разработчики используют оба типа
памяти, в результате получается гибридная кэш-память.
Поняв область применения и достоинства eDRAM-памяти можно переходить к
рассмотрению нового достижения инженеров компании IBM. Буквально на
днях представители «Голубого Гиганта» поведали общественности об
успешном завершении процедуры изготовления тестовой интегральной
микросхемы eDRAM-памяти информационной емкостью 16 Мбит. При этом
инженеры использовали 32-нм технологический процесс
кремний-на-изоляторе (SOI).
Разработка технологии изготовления 32-нм памяти eDRAM оказывается
чрезвычайно важной как для самой компании IBM, которая будет применять
ее в своих центральных процессорах следующего поколения, так и для
сторонних компаний, которые смогут использовать наработки IBM в своих
продуктах. В числе партнеров значится компания ARM, планирующая
интегрировать 32-нм eDRAM-память в собственные интегральные микросхемы.
Более того, обе стороны работают над созданием 22-нм техпроцесса
«кремний-на-изоляторе», что дает право ARM в дальнейшем использовать
плоды совместной деятельности, в том числе и по применению технологии
eDRAM.
Стоит отметить, что в планах компании GlobalFoundries значится
применение технологии eDRAM при изготовлении SOI-микросхем. Это дает
нам право заявлять о возможном использовании этого типа памяти и в
центральных процессорах компании AMD.
Пока основной областью применения интегрированной DRAM-памяти остаются
серверные центральные процессоры. Однако разработчики отмечают куда
более широкий потенциал их технологии – eDRAM может найти применение в
интегральных микросхемах для принтеров, систем хранения информации,
коммуникационных и сетевых системах, маломощной мобильной электронике,
потребительской электронике, и в частности, игровых устройствах.
|
RUB: R335122977474
UAH: U356188666157
USD: Z220511390943
